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NTTS2P03R2
6
30
1200
V DS = 0 V
V GS = 0 V
1000
C iss
T J = 25 ° C
5
QT
25
800
600
C rss
C iss
4
3
Q1
Q2
V GS
20
15
400
2
10
200
C oss
C rss
1
V DS
I D = ?2.48 A
T J = 25 ° C
5
0
0
0
?10
?5
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
100
?V GS ?V DS
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
3
t d (off)
2.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t f
t r
t d (on)
V DD = ?24 V
I D = ?2.48 A
V GS = ?10 V
2
1.5
1
0.5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
100
R G, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V GS = 30 V
?V SD, SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage
versus Current
10
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
1 ms
I S
di/dt
t rr
1
10 ms
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
I S
PACKAGE LIMIT
0.01
0.1
1
10
100
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
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4
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